삼성전자, '현존 최고층 290단' 9세대 V낸드 양산 본격화
[이데일리 김응열 기자] 삼성전자(005930)가 업계 최초로 290단대 1테라비트(Tb) TLC(트리플 레벨 셀) 9세대 V낸드 양산을 시작했다. 현재 시장에 출시된 낸드플래시 중 적층(셀을 쌓아올린 층) 단수가 가장 높은 제품이다. 적층 단수를 높여 저장능력을 키운 고용량·고사양 낸드로 인공지능(AI) 수요를 공략하고 메모리 리더십을 지킨다는 구상이다.
삼성전자는 반도체업계에서 처음으로 9세대 V낸드를 양산한다고 23일 밝혔다. 하나의 셀에 3비트(bit) 데이터를 기록할 수 있는 TLC 제품이다. 업계 최소 크기 셀과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 단위 면적당 저장되는 비트 수인 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.
삼성전자가 공식적으로 밝히지는 않았으나 단수는 290단 수준으로 알려졌다. 현재 삼성전자의 주력 제품인 8세대 V낸드는 236단 수준이다. 경쟁사인 SK하이닉스의 제품이 238단으로 최고층이었으나, 삼성전자가 이번에 역전했다. SK하이닉스는 이보다 높은 트리플 스택 321단 낸드를 공개한 적이 있으나, 아직 양산을 준비 중이다.
이번 신제품은 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였고, 셀 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했다. 제품 품질과 신뢰성을 높였다는 의미다.
생산성도 개선했다. 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 쌓은 이번 신제품에 채널 홀 에칭(Channel Hole Etching) 기술을 적용해, 한 번에 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤘다. 더블 스택은 낸드를 두 번에 걸친 채널 홀 에칭으로 나눠 뚫은 뒤 한 개의 칩으로 결합하는 제조 방식이다. 채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다.
한 번에 많이 뚫을수록 생산 효율이 증가하며 정교화·고도화가 요구된다. 낸드는 D램과 달리 경쟁업체가 5~6개로 많은 만큼 원가 경쟁이 더 치열한데, 삼성전자는 이번 신제품의 생산성을 높여 원가 경쟁력에서 앞설 수 있게 됐다.
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